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    K6F4008U2E-EF55 参数 Datasheet PDF下载

    K6F4008U2E-EF55图片预览
    型号： K6F4008U2E-EF55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512K ×8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM [512K x 8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 112 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG ]
     浏览型号K6F4008U2E-EF55的Datasheet PDF文件第1页浏览型号K6F4008U2E-EF55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K6F4008U2E-EF55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K6F4008U2E-EF55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K6F4008U2E-EF55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K6F4008U2E-EF55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K6F4008U2E-EF55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K6F4008U2E-EF55的Datasheet PDF文件第9页  
    K6F4008U2E Family  
    CMOS SRAM  
    TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1) (WE Controlled)  
    tWC  
    Address  
    tWR(4)  
    tCW(2)  
    CS1  
    tAW  
    CS2  
    tCW(2)  
    tWP(1)  
    WE  
    tAS(3)  
    tDW  
    tDH  
    Data Valid  
    Data in  
    tWHZ  
    tOW  
    Data Undefined  
    Data out  
    TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2) (CS1 Controlled)  
    tWC  
    Address  
    CS1  
    tCW(2)  
    tAS(3)  
    tWR(4)  
    tAW  
    CS2  
    tWP(1)  
    WE  
    tDW  
    tDH  
    Data in  
    Data out  
    Data Valid  
    High-Z  
    High-Z  
    Revision 1.0  
    March 2001  
    - 7 -  

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