K4S641632K-UC60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	K4S641632K-UC60
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内容描述：	[Synchronous DRAM, 4MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54]
分类和应用：	时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小：	14 页 / 327 K
品牌：	SAMSUNG [ SAMSUNG ]

K4S640832K

K4S641632K

Synchronous DRAM

Minimum VDD clamp current

(Referenced to VDD)

VDD Clamp @ CLK, CKE, CS, DQM & DQ

VDD (V)

0.0

0.2

0.4

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

2.2

2.4

2.6

I (mA)

0.0

0.23

1.34

3.02

5.06

7.35

9.83

12.48

15.30

18.31

Voltage

I (mA)

Minimum VSS clamp current

-2 -1

VSS Clamp @ CLK, CKE, CS, DQM & DQ

-3

VSS (V)

-2.6

-2.4

-2.2

-2.0

-1.8

-1.6

-1.4

-1.2

-1.0

-0.9

-0.8

-0.7

-0.6

-0.4

-0.2

0.0

I (mA)

-57.23

-45.77

-38.26

-31.22

-24.58

-18.37

-12.56

-7.57

-3.37

-1.75

-0.58

-0.05

0.0

-10

-20

-30

-40

-50

-60

0.0

Voltage

I (mA)

Rev. 1.1 February 2006

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