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    K4M56323LE-EN1L 参数 Datasheet PDF下载

    K4M56323LE-EN1L图片预览
    型号： K4M56323LE-EN1L
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2米x 32位×4银行移动SDRAM的90FBGA [2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA]
    分类和应用： 存储内存集成电路动态存储器时钟
    文件页数/大小： 12 页 / 143 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG ]
     浏览型号K4M56323LE-EN1L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K4M56323LE-EN1L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K4M56323LE-EN1L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K4M56323LE-EN1L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K4M56323LE-EN1L的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K4M56323LE-EN1L的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K4M56323LE-EN1L的Datasheet PDF文件第9页浏览型号K4M56323LE-EN1L的Datasheet PDF文件第10页  
    K4M56323LE - M(E)E/N/S/C/L/R  
    Mobile-SDRAM  
    AC OPERATING TEST CONDITIONS(VDD = 2.5V ± 0.2V, TA = -25 to 85°C for Extended, -25 to 70°C for Commercial)  
    Parameter  
    AC input levels (Vih/Vil)  
    Value  
    0.9 x VDDQ / 0.2  
    0.5 x VDDQ  
    tr/tf = 1/1  
    Unit  
    V
    Input timing measurement reference level  
    Input rise and fall time  
    V
    ns  
    V
    Output timing measurement reference level  
    Output load condition  
    0.5 x VDDQ  
    See Figure 2  
    VDDQ  
    500Ω  
    Vtt=0.5 x VDDQ  
    VOH (DC) = VDDQ - 0.2V, IOH = -0.1mA  
    VOL (DC) = 0.2V, IOL = 0.1mA  
    30pF  
    Output  
    50Ω  
    500Ω  
    Output  
    Z0=50Ω  
    30pF  
    Figure 1. DC Output Load Circuit  
    Figure 2. AC Output Load Circuit  
    February 2004  

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