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    HYB18H512321AFL20 参数 Datasheet PDF下载

    HYB18H512321AFL20图片预览
    型号： HYB18H512321AFL20
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [DDR DRAM, 16MX32, 0.35ns, CMOS, PBGA136]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
    文件页数/大小： 100 页 / 1884 K
    品牌： QIMONDA [ QIMONDA AG ]
     浏览型号HYB18H512321AFL20的Datasheet PDF文件第92页浏览型号HYB18H512321AFL20的Datasheet PDF文件第93页浏览型号HYB18H512321AFL20的Datasheet PDF文件第94页浏览型号HYB18H512321AFL20的Datasheet PDF文件第95页浏览型号HYB18H512321AFL20的Datasheet PDF文件第96页浏览型号HYB18H512321AFL20的Datasheet PDF文件第98页浏览型号HYB18H512321AFL20的Datasheet PDF文件第99页浏览型号HYB18H512321AFL20的Datasheet PDF文件第100页  
    HYB18H512321AF  
    512-Mbit GDDR3  
    Electrical Characteristics  
    4) tCCD is either for gapless consecutive reads or gapless consecutive writes. BL =4  
    5) WTR and tWR start at the first rising edge of CLK after the last valid (falling) WDQS edge of the slowest WDQS signal.  
    6) Please round up tRTW to the next integer of tCK.  
    7) This parameter is defined per byte.  
    Data Sheet  
    97  
    Rev. 1.73, 2005-08  
    05122004-B1L1-JEN8  

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