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HYB18H512321AFL20 参数 Datasheet PDF下载

HYB18H512321AFL20图片预览

型号：	HYB18H512321AFL20
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内容描述：	[DDR DRAM, 16MX32, 0.35ns, CMOS, PBGA136]
分类和应用：	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
文件页数/大小：	100 页 / 1884 K
品牌：	QIMONDA [ QIMONDA AG ]

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HYB18H512321AF

512-Mbit GDDR3

Electrical Characteristics

3. Definitions for IDD :

LOW is defined as VIN = 0.4 × VDDQ; HIGH is defined as V_IN= V_DDQ

TABLE is defined as inputs are stable at a HIGH level.

;

SWITCHING is defined as inputs are changing between HIGH and LOW every clock cycle for address and

control signals, and inputs changing 50% of each data transfer for DQ signals.

4. Legend: A=Active; RA=Read with Autoprecharge; D=DESELECT.

Data Sheet

91

Rev. 1.73, 2005-08

05122004-B1L1-JEN8

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