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    IRFZ48N 参数 Datasheet PDF下载

    IRFZ48N图片预览
    型号： IRFZ48N
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    内容描述： N沟道增强模式的TrenchMOS晶体管 [N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 8 页 / 68 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号IRFZ48N的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFZ48N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFZ48N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFZ48N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFZ48N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFZ48N的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRFZ48N的Datasheet PDF文件第8页  
    Philips Semiconductors
    Product specification
    N-channel enhancement mode
    TrenchMOS
    TM
    transistor
    IRFZ48N
    120
    110
    100
    90
    80
    70
    60
    50
    40
    30
    20
    10
    0
    WDSS%
    +
    RD
    VDS
    VGS
    0
    RG
    T.U.T.
    VDD
    -
    20
    40
    60
    80
    100
    120
    Tmb / C
    140
    160
    180
    Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
    W
    DSS
    % = f(T
    mb
    ); conditions: I
    D
    = 75 A
    Fig.17. Switching test circuit.
    +
    L
    VDS
    VGS
    0
    RGS
    T.U.T.
    R 01
    shunt
    VDD
    -
    -ID/100
    Fig.16. Avalanche energy test circuit.
    2
    W
    DSS
    =
    0.5
    ⋅
    LI
    D
    ⋅
    BV
    DSS
    /(BV
    DSS
    −
    V
    DD
    )
    February 1999
    6
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