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BLA6H0912-500 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	BLA6H0912-500
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内容描述：	LDMOS航空电子雷达功率晶体管 [LDMOS avionics radar power transistor]
分类和应用：	晶体射频场效应晶体管雷达电子放大器航空局域网
文件页数/大小：	14 页 / 129 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

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NXP Semiconductors

BLA6H0912-500

LDMOS avionics radar power transistor

7. Application information

7.1 Impedance information

Table 8.

Typical impedance

Typical values per section unless otherwise specified.

f

MHz

960

1030

1090

1140

1215

Z

S

Ω

1.36

−

j1.45

1.54

−

j1.25

1.67

−

j1.22

1.68

−

j1.29

1.43

−

j1.42

Z

L

Ω

1.49

−

j1.48

1.51

−

j1.45

1.36

−

j1.47

1.15

−

j1.41

0.79

−

j1.17

drain

Z

L

gate

Z

S

001aaf059

Fig 1.

Definition of transistor impedance

BLA6H0912-500_3

All information provided in this document is subject to legal disclaimers.

© NXP B.V. 2010. All rights reserved.

Product data sheet

Rev. 03 — 30 March 2010

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