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A2V07H525-04N 参数 Datasheet PDF下载

A2V07H525-04N图片预览
型号: A2V07H525-04N
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内容描述: [N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 25 页 / 1056 K
品牌: NXP [ NXP ]
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P1dB – TYPICAL CARRIER SIDE LOAD PULL CONTOURS — 652 MHz  
6
5
4
3
2
1
6
5
62  
64  
50  
50.5  
51  
E
E
66  
68  
78  
51.5  
4
3
2
1
52  
76  
62  
52.5  
74  
70  
72  
53  
53.5  
P
P
54  
0
0
52.5  
53  
53.5  
–1  
1.5  
–1  
1.5  
2.5  
3.5  
4.5  
5.5  
2.5  
3.5  
REAL ()  
4.5  
5.5  
REAL ()  
Figure 8. P1dB Load Pull Output Power Contours (dBm)  
Figure 9. P1dB Load Pull Efficiency Contours (%)  
6
6
5
–6  
24.5  
24  
5
23.5  
E
E
–14  
23  
4
3
4
–12  
22.5  
21.5  
3
–10  
22  
2
2
–8  
–12  
1
1
P
P
21  
0
0
–6  
–1  
1.5  
–1  
1.5  
2.5  
3.5  
4.5  
5.5  
2.5  
3.5  
4.5  
5.5  
REAL ()  
REAL ()  
Figure 10. P1dB Load Pull Gain Contours (dB)  
Figure 11. P1dB Load Pull AM/PM Contours ()  
NOTE:  
P
E
= Maximum Output Power  
= Maximum Drain Efficiency  
Gain  
Drain Efficiency  
Linearity  
Output Power  
A2V07H525--04NR6  
RF Device Data  
NXP Semiconductors  
9