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A2V07H525-04N 参数 Datasheet PDF下载

A2V07H525-04N图片预览
型号: A2V07H525-04N
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内容描述: [N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 25 页 / 1056 K
品牌: NXP [ NXP ]
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P3dB – TYPICAL CARRIER SIDE LOAD PULL CONTOURS — 652 MHz  
6
5
6
62  
64  
5
51  
50.5  
51.5  
78  
66  
52  
4
4
3
52.5  
78  
E
E
68  
53  
54  
3
70  
76  
72  
53.5  
2
2
74  
64  
1
1
P
P
62  
0
0
54.5  
3.5  
53  
53.5  
54  
–1  
1.5  
–1  
1.5  
2.5  
4.5  
5.5  
2.5  
3.5  
REAL ()  
4.5  
5.5  
REAL ()  
Figure 12. P3dB Load Pull Output Power Contours (dBm)  
Figure 13. P3dB Load Pull Efficiency Contours (%)  
6
6
5
20  
–8  
22.5  
22  
21.5  
5
4
–22  
21  
4
–20  
E
E
20.5  
3
3
–18  
–16  
20  
–14  
2
2
–12  
19.5  
–10  
1
1
P
P
19  
–8  
0
0
18.5  
–6  
–1  
1.5  
–1  
1.5  
2.5  
3.5  
REAL ()  
4.5  
5.5  
2.5  
3.5  
REAL ()  
4.5  
5.5  
Figure 14. P3dB Load Pull Gain Contours (dB)  
Figure 15. P3dB Load Pull AM/PM Contours ()  
NOTE:  
P
E
= Maximum Output Power  
= Maximum Drain Efficiency  
Gain  
Drain Efficiency  
Linearity  
Output Power  
A2V07H525--04NR6  
RF Device Data  
NXP Semiconductors  
10