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A2V07H525-04N 参数 Datasheet PDF下载

A2V07H525-04N图片预览
型号: A2V07H525-04N
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内容描述: [N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 25 页 / 1056 K
品牌: NXP [ NXP ]
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P3dB – TYPICAL PEAKING SIDE LOAD PULL CONTOURS — 652 MHz  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0
3.0  
2.5  
64  
66  
2.0  
1.5  
55  
54.5  
80  
78  
68  
55.5  
E
E
54  
56  
57  
70  
66  
1.0  
72  
74  
76  
56.5  
0.5  
0
P
P
64  
–0.5  
–1.0  
–1.5  
–0.5  
–1.0  
–1.5  
57.5  
55  
55.5  
56  
56.5  
1.5  
0.5  
0.5  
1.0  
2.0  
2.5  
3.0  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
REAL ()  
REAL ()  
Figure 20. P3dB Load Pull Output Power Contours (dBm)  
Figure 21. P3dB Load Pull Efficiency Contours (%)  
3.0  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0
13  
12.5  
13  
–22  
–20  
13.5  
–18  
–34  
2.5  
2.0  
–32  
14  
–30  
–28  
E
–26  
E
1.5  
–24  
–22  
14.5  
1.0  
14  
0.5  
–20  
0
P
P
13.5  
–0.5  
–1.0  
–1.5  
–0.5  
–1.0  
–1.5  
11  
–18  
13  
11.5  
1.0  
12  
12.5  
0.5  
0.5  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
REAL ()  
REAL ()  
Figure 22. P3dB Load Pull Gain Contours (dB)  
Figure 23. P3dB Load Pull AM/PM Contours ()  
NOTE:  
P
E
= Maximum Output Power  
= Maximum Drain Efficiency  
Gain  
Drain Efficiency  
Linearity  
Output Power  
A2V07H525--04NR6  
RF Device Data  
NXP Semiconductors  
12  
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