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A2V07H525-04N 参数 Datasheet PDF下载

A2V07H525-04N图片预览
型号: A2V07H525-04N
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内容描述: [N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 25 页 / 1056 K
品牌: NXP [ NXP ]
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P1dB – TYPICAL PEAKING SIDE LOAD PULL CONTOURS — 652 MHz  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0
3.0  
2.5  
64  
66  
68  
53.5  
53  
54  
2.0  
1.5  
54.5  
80  
78  
E
E
55  
70  
1.0  
72  
55.5  
56  
74  
76  
66  
0.5  
64  
0
P
P
56.5  
57  
–0.5  
–1.0  
–1.5  
–0.5  
–1.0  
–1.5  
54.5  
55  
1.0  
55.5  
56  
REAL ()  
0.5  
0.5  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
REAL ()  
Figure 16. P1dB Load Pull Output Power Contours (dBm)  
Figure 17. P1dB Load Pull Efficiency Contours (%)  
3.0  
3.0  
14.5  
15  
15  
–16  
–30  
15.5  
E
–28  
2.5  
2.0  
2.5  
2.0  
–26  
–24  
E
–22  
16  
1.5  
1.5  
16.5  
–20  
1.0  
1.0  
–18  
0.5  
0.5  
15.5  
0
0
P
P
–0.5  
–1.0  
–1.5  
–0.5  
–1.0  
–1.5  
–16  
15  
13  
13.5  
14.5  
2.0  
–14  
14  
0.5  
0.5  
1.0  
1.5  
2.5  
3.0  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
REAL ()  
REAL ()  
Figure 18. P1dB Load Pull Gain Contours (dB)  
Figure 19. P1dB Load Pull AM/PM Contours ()  
NOTE:  
P
E
= Maximum Output Power  
= Maximum Drain Efficiency  
Gain  
Drain Efficiency  
Linearity  
Output Power  
A2V07H525--04NR6  
RF Device Data  
NXP Semiconductors  
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