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A2V07H525-04N 参数 Datasheet PDF下载

A2V07H525-04N图片预览
型号: A2V07H525-04N
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内容描述: [N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 25 页 / 1056 K
品牌: NXP [ NXP ]
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TYPICAL CHARACTERISTICS — 595–652 MHz  
22  
20  
18  
16  
14  
65  
0
V
= 48 Vdc, I  
= 700 mA, V  
= 0.5 Vdc  
GSB  
D
DD  
DQA  
Single--Carrier W--CDMA  
3.84 MHz Channel Bandwidth  
–10  
55  
45  
35  
25  
623 MHz  
652 MHz  
595 MHz  
G
–20  
–30  
–40  
ps  
652 MHz  
623 MHz  
595 MHz  
652 MHz  
623 MHz  
595 MHz  
ACPR  
–50  
–60  
12  
10  
15  
5
Input Signal PAR = 9.9 dB  
@ 0.01% Probability on CCDF  
1
10  
100  
500  
P
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.  
out  
Figure 6. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain  
Efficiency and ACPR versus Output Power  
20  
V
P
= 48 Vdc  
= 0 dBm  
DD  
in  
19  
Gain  
I
= 700 mA  
= 0.5 Vdc  
DQA  
V
GSB  
18  
17  
16  
15  
14  
540  
560  
580  
600  
620  
640  
660  
680  
700  
f, FREQUENCY (MHz)  
Figure 7. Broadband Frequency Response  
A2V07H525--04NR6  
RF Device Data  
NXP Semiconductors  
6