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N25Q512A13GF840E 参数 Datasheet PDF下载

N25Q512A13GF840E图片预览
型号: N25Q512A13GF840E
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内容描述: 美光的串行NOR闪存3V ,多个I / O, 4KB扇区擦除N25Q512A [Micron Serial NOR Flash Memory 3V, Multiple I/O, 4KB Sector Erase N25Q512A]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 91 页 / 1214 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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512Mb, Multiple I/O Serial Flash Memory  
READ IDENTIFICATION Operations  
Table 23: Serial Flash Discovery Parameter Data Structure  
Compliant with JEDEC standard JC-42.4 1775.03  
Address  
Description  
(Byte Mode)  
Address (Bit)  
7:0  
Data  
53h  
46h  
44h  
50h  
00h  
01h  
00h  
FFh  
00h  
00h  
01h  
09h  
30h  
00h  
00h  
FFh  
Serial Flash discoverable parameters signature  
00h  
01h  
02h  
03h  
04h  
05h  
06h  
07h  
08h  
09h  
0Ah  
0Bh  
0Ch  
0Dh  
0Eh  
0Fh  
15:08  
23:16  
31:24  
7:0  
Serial Flash discoverable parameters  
Minor revision  
Major revision  
15:8  
Number of parameter headers  
Reserved  
7:0  
15:8  
Parameter ID (0) JEDEC-defined parameter table  
7:0  
Parameter  
Minor revision  
Major revision  
15:8  
23:16  
31:24  
7:0  
Parameter length (DW)  
Parameter table pointer  
15:8  
23:16  
31:24  
Reserved  
Table 24: Parameter ID  
Byte  
Address  
512Mb  
Data  
Description  
Bits  
1:0  
2
Minimum block/sector erase sizes  
Write granularity  
30h  
01b  
1
WRITE ENABLE command required for writing to volatile status reg-  
isters  
3
0
WRITE ENABLE command selected for writing to volatile status regis-  
ters  
4
0
Reserved  
7:5  
7:0  
111b  
20h  
4KB ERASE command  
31h  
PDF: 09005aef84752721  
n25q_512mb_1ce_3V_65nm.pdf - Rev. O 05/13 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
41  
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