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    GM72V66841CT 参数 Datasheet PDF下载

    GM72V66841CT图片预览
    型号： GM72V66841CT
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2,097,152字×8位×4银行同步动态RAM [2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 57 页 / 591 K
    品牌： LG [ LG SEMICON CO.,LTD. ]
     浏览型号GM72V66841CT的Datasheet PDF文件第25页浏览型号GM72V66841CT的Datasheet PDF文件第26页浏览型号GM72V66841CT的Datasheet PDF文件第27页浏览型号GM72V66841CT的Datasheet PDF文件第28页浏览型号GM72V66841CT的Datasheet PDF文件第30页浏览型号GM72V66841CT的Datasheet PDF文件第31页浏览型号GM72V66841CT的Datasheet PDF文件第32页浏览型号GM72V66841CT的Datasheet PDF文件第33页  
    LG Semicon  
    GM72V66841CT/CLT  
    READ to WRITE Command Interval (2)  
    CLK  
    READ  
    WRIT  
    Command  
    DQM,  
    DQMU  
    /DQML  
    2 Clock  
    High-Z  
    High-Z  
    CL=2  
    Dout  
    CL=3  
    Din  
    2. Same bank, different ROW address:  
    3. Different bank:  
    When the ROW address changes, consecutive  
    write commands cannot be executed; it is  
    necessary to separate the two write commands  
    with a Precharge command or a bank-active  
    command.  
    When the bank changes, the write can be  
    performed after an interval of no less than 1  
    cycle, provided that the other bank is in the bank-  
    active state. However, DQM, DQMU/DQML  
    must be set High so that the output buffer  
    becomes High-Z before data input.  
    28  

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