欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

ISZ106N12LM6 参数 Datasheet PDF下载

ISZ106N12LM6图片预览
型号: ISZ106N12LM6
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: [This is a logic level 120 V MOSFET in PQFN 3.3 x 3.3 packaging with 10.6 mOhm on-resistance.  ISZ106N12LM6 is part of Infineon’s  OptiMOS™ 6 power MOSFET family.]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 1375 K
品牌: INFINEON [ Infineon ]
 浏览型号ISZ106N12LM6的Datasheet PDF文件第1页浏览型号ISZ106N12LM6的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ISZ106N12LM6的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ISZ106N12LM6的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ISZ106N12LM6的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ISZ106N12LM6的Datasheet PDF文件第7页浏览型号ISZ106N12LM6的Datasheet PDF文件第8页浏览型号ISZ106N12LM6的Datasheet PDF文件第9页  
OptiMOSTMꢀ6ꢀPower-Transistor,ꢀ120ꢀV  
ISZ106N12LM6  
Tableꢀ7ꢀꢀꢀꢀꢀReverseꢀdiode  
Values  
Typ.  
-
Parameter  
Symbol  
Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition  
Min.  
Max.  
62  
Diode continuous forward current  
Diode pulse current  
IS  
-
-
-
-
-
-
-
A
TC=25ꢀ°C  
IS,pulse  
VSD  
trr  
-
248  
1.0  
46  
A
TC=25ꢀ°C  
Diode forward voltage  
0.87  
23  
V
VGS=0ꢀV,ꢀIF=28ꢀA,ꢀTj=25ꢀ°C  
VR=60ꢀV,ꢀIF=14ꢀA,ꢀdiF/dt=300ꢀA/µs  
VR=60ꢀV,ꢀIF=14ꢀA,ꢀdiF/dt=300ꢀA/µs  
VR=60ꢀV,ꢀIF=14ꢀA,ꢀdiF/dt=1000ꢀA/µs  
VR=60ꢀV,ꢀIF=14ꢀA,ꢀdiF/dt=1000ꢀA/µs  
Reverse recovery time1)  
Reverse recovery charge1)  
Reverse recovery time1)  
Reverse recovery charge1)  
ns  
nC  
ns  
nC  
Qrr  
trr  
38  
76  
17  
34  
Qrr  
106  
212  
1) Defined by design. Not subject to production test.  
Final Data Sheet  
5
Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-12-13  
 复制成功!