ISZ106N12LM6 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ISZ106N12LM6
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内容描述：	[This is a logic level 120 V MOSFET in PQFN 3.3 x 3.3 packaging with 10.6 mOhm on-resistance. ISZ106N12LM6 is part of Infineon’s OptiMOS™ 6 power MOSFET family.]
分类和应用：
文件页数/大小：	11 页 / 1375 K
品牌：	INFINEON [ Infineon ]

OptiMOS^TMꢀ6ꢀPower-Transistor,ꢀ120ꢀV

ISZ106N12LM6

Diagramꢀ9:ꢀNormalizedꢀdrain-sourceꢀonꢀresistance

Diagramꢀ10:ꢀTyp.ꢀgateꢀthresholdꢀvoltage

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

0.0

2.0

1.6

350 µA

1.2

35 µA

0.8

0.4

0.0

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175 200

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175 200

T_jꢀ[°C]

R_DS(on)=f(T_j),ꢀI_D=28ꢀA,ꢀV_GS=10ꢀV

V_GS(th=f(T_j),ꢀV_GS=V_DS;ꢀparameter:ꢀI_D

Diagramꢀ11:ꢀTyp.ꢀcapacitances

Diagramꢀ12:ꢀForwardꢀcharacteristicsꢀofꢀreverseꢀdiode

10⁴

10³

25 °C

25 °C, max

175 °C

175 °C, max

10³

10²

10¹

10⁰

Ciss

10²

10¹

10⁰

Coss

Crss

100

120

0.0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

V_DSꢀ[V]

V_SDꢀ[V]

C=f(V_DS);ꢀV_GS=0ꢀV;ꢀf=1ꢀMHz

I_F=f(V_SD);ꢀparameter:ꢀT_j

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-12-13

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