ISZ106N12LM6 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ISZ106N12LM6
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内容描述：	[This is a logic level 120 V MOSFET in PQFN 3.3 x 3.3 packaging with 10.6 mOhm on-resistance. ISZ106N12LM6 is part of Infineon’s OptiMOS™ 6 power MOSFET family.]
分类和应用：
文件页数/大小：	11 页 / 1375 K
品牌：	INFINEON [ Infineon ]

OptiMOS^TMꢀ6ꢀPower-Transistor,ꢀ120ꢀV

ISZ106N12LM6

4ꢀꢀꢀꢀꢀElectricalꢀcharacteristicsꢀdiagrams

Diagramꢀ1:ꢀPowerꢀdissipation

Diagramꢀ2:ꢀDrainꢀcurrent

100

125

150

175

200

100

125

150

175

200

T_Cꢀ[°C]

P_tot=f(T_C)

I_D=f(T_C);ꢀV_GS≥10ꢀV

Diagramꢀ3:ꢀSafeꢀoperatingꢀarea

Diagramꢀ4:ꢀMax.ꢀtransientꢀthermalꢀimpedance

10³

10¹

single pulse

0.01

0.02

0.05

1 µs

10²

10¹

10⁰

0.1

0.2

0.5

10 µs

10⁰

10^-1

10^-2

100 µs

1 ms

10^-1

10 ms

10^-2

10⁰

10¹

10²

10³

10^-6

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

V_DSꢀ[V]

t_pꢀ[s]

I_D=f(V_DS);ꢀT_C=25ꢀ°C;ꢀD=0;ꢀparameter:ꢀt_p

Z_thJC=f(t_p);ꢀparameter:ꢀD=t_p/T

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-12-13

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