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    ISZ106N12LM6 参数 Datasheet PDF下载

    ISZ106N12LM6图片预览
    型号： ISZ106N12LM6
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    内容描述： [This is a logic level 120 V MOSFET in PQFN 3.3 x 3.3 packaging with 10.6 mOhm on-resistance.  ISZ106N12LM6 is part of Infineon’s  OptiMOS™ 6 power MOSFET family.]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 1375 K
    品牌： INFINEON [ Infineon ]
     浏览型号ISZ106N12LM6的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ISZ106N12LM6的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ISZ106N12LM6的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ISZ106N12LM6的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ISZ106N12LM6的Datasheet PDF文件第7页浏览型号ISZ106N12LM6的Datasheet PDF文件第8页浏览型号ISZ106N12LM6的Datasheet PDF文件第10页浏览型号ISZ106N12LM6的Datasheet PDF文件第11页  
    OptiMOSTMꢀ6ꢀPower-Transistor,ꢀ120ꢀV  
    ISZ106N12LM6  
    Diagramꢀ13:ꢀAvalancheꢀcharacteristics  
    Diagramꢀ14:ꢀTyp.ꢀgateꢀcharge  
    102  
    10  
    24 V  
    60 V  
    96 V  
    8
    6
    4
    2
    0
    101  
    25 °C  
    100 °C  
    150 °C  
    100  
    10-1  
    10-1  
    100  
    101  
    102  
    103  
    0
    4
    8
    12  
    16  
    20  
    tAVꢀ[µs]  
    Qgateꢀ[nC]  
    IAS=f(tAV);ꢀRGS=25ꢀΩ;ꢀparameter:ꢀTj,start  
    VGS=f(Qgate),ꢀID=14ꢀAꢀpulsed,ꢀTj=25ꢀ°C;ꢀparameter:ꢀVDD  
    Diagramꢀ15:ꢀDrain-sourceꢀbreakdownꢀvoltage  
    Diagram Gate charge waveforms  
    132  
    130  
    128  
    126  
    124  
    122  
    120  
    118  
    116  
    114  
    112  
    -75 -50 -25  
    0
    25 50 75 100 125 150 175 200  
    Tjꢀ[°C]  
    VBR(DSS)=f(Tj);ꢀID=1ꢀmA  
    Final Data Sheet  
    9
    Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-12-13  

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