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    ISZ106N12LM6 参数 Datasheet PDF下载

    ISZ106N12LM6图片预览
    型号： ISZ106N12LM6
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [This is a logic level 120 V MOSFET in PQFN 3.3 x 3.3 packaging with 10.6 mOhm on-resistance.  ISZ106N12LM6 is part of Infineon’s  OptiMOS™ 6 power MOSFET family.]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 1375 K
    品牌： INFINEON [ Infineon ]
     浏览型号ISZ106N12LM6的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ISZ106N12LM6的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ISZ106N12LM6的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ISZ106N12LM6的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ISZ106N12LM6的Datasheet PDF文件第8页浏览型号ISZ106N12LM6的Datasheet PDF文件第9页浏览型号ISZ106N12LM6的Datasheet PDF文件第10页浏览型号ISZ106N12LM6的Datasheet PDF文件第11页  
    OptiMOSTMꢀ6ꢀPower-Transistor,ꢀ120ꢀV  
    ISZ106N12LM6  
    Diagramꢀ5:ꢀTyp.ꢀoutputꢀcharacteristics  
    Diagramꢀ6:ꢀTyp.ꢀdrain-sourceꢀonꢀresistance  
    250  
    28  
    4 V  
    10 V  
    24  
    5 V  
    200  
    150  
    100  
    50  
    3 V  
    4.5 V  
    20  
    3.3 V  
    4.5 V  
    16  
    12  
    8
    5 V  
    4 V  
    10 V  
    3.3 V  
    2.8 V  
    4
    3 V  
    0
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    0
    20  
    40  
    60  
    80  
    100  
    120  
    140  
    VDSꢀ[V]  
    IDꢀ[A]  
    ID=f(VDS),ꢀTj=25ꢀ°C;ꢀparameter:ꢀVGS  
    RDS(on)=f(ID),ꢀTj=25ꢀ°C;ꢀparameter:ꢀVGS  
    Diagramꢀ7:ꢀTyp.ꢀtransferꢀcharacteristics  
    Diagramꢀ8:ꢀTyp.ꢀdrain-sourceꢀonꢀresistance  
    150  
    28  
    24  
    25 °C  
    20  
    100  
    50  
    0
    175 °C  
    16  
    175 °C  
    12  
    8
    100 °C  
    25 °C  
    4
    -55 °C  
    0
    0.0  
    0.5  
    1.0  
    1.5  
    2.0  
    2.5  
    3.0  
    3.5  
    4.0  
    4.5  
    2
    4
    6
    8
    10  
    12  
    14  
    16  
    VGSꢀ[V]  
    VGSꢀ[V]  
    ID=f(VGS),ꢀ|VDS|>2|ID|RDS(on)max;ꢀparameter:ꢀTj  
    RDS(on)=f(VGS),ꢀID=28ꢀA;ꢀparameter:ꢀTj  
    Final Data Sheet  
    7
    Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-12-13  

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