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    IPB65R660CFDA 参数 Datasheet PDF下载

    IPB65R660CFDA图片预览
    型号： IPB65R660CFDA
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    内容描述： [650V CoolMOS™ CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先汽车应用高压 CoolMOS™ 功率 MOSFET。650V CoolMOS™ CFDA 系列产品不仅满足汽车行业的高质量和高可靠性要求，还集成快速体二极管。]
    分类和应用： 高压开关脉冲晶体管二极管
    文件页数/大小： 14 页 / 1977 K
    品牌： INFINEON [ Infineon ]
     浏览型号IPB65R660CFDA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPB65R660CFDA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPB65R660CFDA的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPB65R660CFDA的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPB65R660CFDA的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IPB65R660CFDA的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IPB65R660CFDA的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IPB65R660CFDA的Datasheet PDF文件第10页  
    650VꢀCoolMOSªꢀCFDAꢀPowerꢀTransistor  
    IPB65R660CFDA,ꢀIPP65R660CFDA  
    Tableꢀ8ꢀꢀꢀꢀꢀReverseꢀdiodeꢀcharacteristics  
    Values  
    Typ.  
    0.9  
    Parameter  
    Symbol  
    Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition  
    Min.  
    Max.  
    Diode forward voltage  
    VSD  
    trr  
    V
    VGSꢀ=ꢀ0V,ꢀIFꢀ=ꢀ3.2A,ꢀTjꢀ=ꢀ25°C  
    Reverse recovery time  
    65  
    ns  
    µC  
    A
    VRꢀ=ꢀ400V,ꢀIFꢀ=ꢀ3.2A,  
    diF/dtꢀ=ꢀ100A/µs  
    (see table 9)  
    Reverse recovery charge  
    Peak reverse recovery current  
    Qrr  
    Iꢀrrm  
    0.2  
    4.5  
    Final Data Sheet  
    6
    Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2017-11-27  

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