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IPB65R660CFDA 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IPB65R660CFDA
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内容描述: [650V CoolMOS™ CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先汽车应用高压 CoolMOS™ 功率 MOSFET。650V CoolMOS™ CFDA 系列产品不仅满足汽车行业的高质量和高可靠性要求,还集成快速体二极管。]
分类和应用: 高压开关脉冲晶体管二极管
文件页数/大小: 14 页 / 1977 K
品牌: INFINEON [ Infineon ]
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650VꢀCoolMOSªꢀCFDAꢀPowerꢀTransistor  
IPB65R660CFDA,ꢀIPP65R660CFDA  
Powerꢀdissipation  
Safeꢀoperatingꢀarea  
80  
102  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
1 µs  
10 µs  
100 µs  
1 ms  
101  
10 ms  
100  
10-1  
10-2  
100  
0
50  
100  
150  
101  
102  
103  
TCꢀ[°C]  
VDSꢀ[V]  
Ptot=f(TC)  
ID=f(VDS);ꢀTC=25ꢀ°C;ꢀD=0;forꢀVgs>7.5V;ꢀparameter:ꢀtp  
Safeꢀoperatingꢀarea  
Typ.ꢀdrain-sourceꢀon-stateꢀresistance  
102  
2.0  
101  
1.5  
1.0  
1 µs  
10 µs  
100 µs  
10 ms  
1 ms  
100  
typ  
10-1  
0.5  
10-2  
100  
0.0  
101  
102  
103  
-60  
-20  
20  
60  
100  
140  
180  
VDSꢀ[V]  
Tjꢀ[°C]  
ID=f(VDS);ꢀTC=80ꢀ°C;ꢀD=0;ꢀforꢀVgs>7.5V;ꢀparameter:ꢀD=tp/T  
RDS(on)=f(Tj);ꢀID=3.2ꢀA;ꢀVGS=10ꢀV  
Final Data Sheet  
8
Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2017-11-27  
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