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IPB65R660CFDA 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IPB65R660CFDA
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内容描述: [650V CoolMOS™ CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先汽车应用高压 CoolMOS™ 功率 MOSFET。650V CoolMOS™ CFDA 系列产品不仅满足汽车行业的高质量和高可靠性要求,还集成快速体二极管。]
分类和应用: 高压开关脉冲晶体管二极管
文件页数/大小: 14 页 / 1977 K
品牌: INFINEON [ Infineon ]
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650VꢀCoolMOSªꢀCFDAꢀPowerꢀTransistor  
IPB65R660CFDA,ꢀIPP65R660CFDA  
Typ.ꢀtransferꢀcharacteristics  
Typ.ꢀforwardꢀcharacteristicsꢀofꢀreverseꢀdiode  
18  
102  
150 °C  
125 °C  
16  
14  
12  
10  
8
25 °C  
25 °C  
101  
6
100  
4
2
0
10-1  
0
2
4
6
8
10  
0.0  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
VGSꢀ[V]  
VSDꢀ[V]  
ID=f(VGS);ꢀ|VDS|>2|ID|RDS(on)max;ꢀparameter:ꢀTj  
IF=f(VSD);ꢀparameter:ꢀTj  
Typ.ꢀgateꢀcharge  
Avalancheꢀenergy  
10  
1200  
1100  
1000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
120 V  
480 V  
0
5
10  
15  
20  
25  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Qgateꢀ[nC]  
Tjꢀ[°C]  
VGS=f(Qgate);ꢀID=19.2ꢀAꢀpulsed;ꢀparameter:ꢀVDD  
EAS=f(Tj);ꢀID=6.6ꢀA;ꢀVDD=50ꢀV  
Final Data Sheet  
9
Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2017-11-27  
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