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IBM11N1645LB-70J 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IBM11N1645LB-70J
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内容描述: [EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, CMOS, PDMA168]
分类和应用: 动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 31 页 / 344 K
品牌: IBM [ IBM ]
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IBM11N1645L  
IBM11N1735Q  
1M x 64/72 DRAM Module  
Read Cycle  
tRC  
tRAS  
tRP  
VIH  
RAS  
VIL  
tCSH  
tRCD  
tRSH  
tCRP  
VIH  
CAS  
tCAS  
VIL  
tRAD  
tRAL  
tASR  
tRAH  
tASC  
tCAH  
VIH  
Address  
VIL  
Row  
Column  
tRCH  
tRRH  
tWRP  
tWRH  
tRCS  
VIH  
WE  
VIL  
NOTE 1  
tAA  
tOES  
VIH  
tOEA  
OE  
VIL  
tDZC  
tCDD  
tDZO  
tODD  
VIH  
DIN  
VIL  
Hi-Z  
tCAC  
tCLZ  
tOFF  
tOEZ  
VOH  
DOUT  
Hi-Z  
Valid Data Out  
Hi-Z  
VOL  
tRAC  
NOTE 1: Implementing WE at RAS time During a Read or Write Cycle is optional.  
: “H”: or “L”  
Doing so will facilitate compatibility with future EDO DRAMs.  
©IBM Corporation. All rights reserved.  
Use is further subject to the provisions at the end of this document.  
50H8035  
SA14-4630-02  
Revised 5/96  
Page 13 of 33  
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