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IBM11E1475B-6RJ 参数 Datasheet PDF下载

IBM11E1475B-6RJ图片预览
型号: IBM11E1475B-6RJ
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内容描述: [EDO DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72]
分类和应用: 动态存储器内存集成电路
文件页数/大小: 22 页 / 230 K
品牌: IBM [ IBM ]
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IBM11D1475B IBM11D2475B  
IBM11E1475B IBM11E2475B  
1M/2M x 32 Desktop ECC-on-SIMM  
Extended Data Out Mode Read Cycle  
tRP  
tRASP  
VIH  
tAR  
RAS  
tCPRH  
VIL  
tCRP  
tHPC  
tHCAS  
tRCD  
tCP  
tCP  
tRSH  
tHCAS  
tHCAS  
VIH  
VIL  
CAS  
tCSH  
tASC  
tRAL  
tCAH  
tASR tRAH  
tASC  
tCAH  
tASC  
tCAH  
VIH  
VIL  
Address  
Row  
Column 1  
Column 2  
Column N  
tRAD  
tRCH  
tRRH  
tWRH  
tWRP  
tRCS  
VIH  
VIL  
WE  
NOTE 1  
tWP  
tCAC  
tCAC  
tCPA  
tCPA  
tOFF  
tAA  
tAA  
tRAC  
tAA  
tDOH  
tDOH  
tCAC  
tCLZ  
VOH  
VOL  
DOUT  
Hi-Z  
Data Out 1  
Data Out 2  
Data Out N  
NOTE 1: Implementing WE at RAS time During a Read or Write Cycle is optional.  
: “H” or “L”  
Doing so will facilitate compatibility with future EDO DRAMs.  
©IBM Corporation. All rights reserved.  
Use is further subject to the provisions at the end of this document.  
75H3507  
SA14-4343-00  
Released 6/96  
Page 12 of 22  
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