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IBM11E1475B-6RJ 参数 Datasheet PDF下载

IBM11E1475B-6RJ图片预览
型号: IBM11E1475B-6RJ
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内容描述: [EDO DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72]
分类和应用: 动态存储器内存集成电路
文件页数/大小: 22 页 / 230 K
品牌: IBM [ IBM ]
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IBM11D1475B IBM11D2475B  
IBM11E1475B IBM11E2475B  
1M/2M x 32 Desktop ECC-on-SIMM  
Read Cycle  
tRC  
tRAS  
tRP  
VIH  
tAR  
RAS  
VIL  
tCSH  
tRCD  
tRSH  
tCRP  
VIH  
CAS  
VIL  
tCAS  
tRAD  
tRAL  
tASR  
tRAH  
tASC  
tCAH  
VIH  
Address  
Row  
Column  
VIL  
tRCH  
tRRH  
tWRP  
tWRH  
tRCS  
VIH  
VIL  
NOTE 1  
WE  
tAA  
tDZC  
tCDD  
VIH  
VIL  
DIN  
Hi-Z  
tCAC  
tCLZ  
tOFF  
VOH  
VOL  
DOUT  
Hi-Z  
Valid Data Out  
Hi-Z  
tRAC  
NOTE 1: Implementing WE at RAS time During a Read or Write Cycle is optional.  
: “H” or “L”  
Doing so will facilitate compatibility with future EDO DRAMs.  
©IBM Corporation. All rights reserved.  
Use is further subject to the provisions at the end of this document.  
75H3507  
SA14-4343-00  
Released 6/96  
Page 10 of 22  
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