NDS9952A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NDS9952A
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	双N和P沟道增强型场效应晶体管 [Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小：	13 页 / 366 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

典型电气特性： P沟道（续）

-20

= -10V

，漏源电流（A ）

-15

-8.0

漏源导通电阻

-7.0

DS （ ON）

归一化

= -3.5V

2.5

-4.0

-4.5

-5.0

-6.0

-5.5

-5.0

-5.5

-6.0

-10

-4.5

-4.0

-5

1.5

-3.5

-3.0

-7.0

-8.0

-10

-1

-2

-3

，漏源电压（V ）

-4

-5

0.5

-3

-6

-9

，漏电流（ A）

-12

-15

图12. P- Channel开启区域特点。

图13. P通道导通电阻变化与

栅极电压和漏极电流。

1.6

漏源导通电阻

1.4

DS （ ON）

归一化

的s

= -10V

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

= -2.9A

= -10V

TJ = 125°C

1.5

1.2

25°C

0.8

-55°C

0.6

-50

-25

100

，结温（ ° C）

125

150

0.5

-3

-6

-9

，漏电流（ A）

-12

-15

图14. P通道导通电阻变化与

温度。

图15. P通道导通电阻变化与

漏电流和温度。

-10

门源阈值电压

1.2

= -10V

-8

，漏电流（ A）

TJ = -55°C

25°C

125°C

归一化

1.1

= V

= -250µA

-6

-4

0.9

-2

0.8

-1

-2

-3

-4

-5

，门源电压（ V）

-6

0.7

-50

-25

100

，结温（ ° C）

125

150

图16. P沟道传输特性。

图17. P沟道栅极阈值变化

与温度。

NDS9952A.SAM

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案