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NDS9952A 参数 Datasheet PDF下载

NDS9952A图片预览
型号: NDS9952A
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内容描述: 双N和P沟道增强型场效应晶体管 [Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 366 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
N沟道
V
DS
= 10 V,
I
D
= 3.7 A,V
GS
= 10 V
P沟道
V
DS
= -10 V,
I
D
= -2.9 A,V
GS
= -10 V
条件
N沟道
V
DD
= 10 V,I
D
= 1 A,
V
= 10 V ,R
= 6
P沟道
V
DD
= -10 V,I
D
= -1 A,
V
= -10 V ,R
= 6
TYPE
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
t
rr
注意事项:
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。 ř
θ
JC
被担保
设计,同时ř
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
典型值
10
9
13
21
21
21
5
8
9.5
10
1.5
1.6
3.3
3.4
最大
15
40
20
40
50
90
50
50
27
25
单位
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
开关特性
(注2 )
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
反向恢复时间
V
GS
= 0 V,I
S
= 1.25 A
V
GS
= 0 V,I
S
= -1.25 A
N沟道
P沟道
(注2 )
(注2 )
1.2
-1.2
0.8
-0.8
1.3
-1.3
75
100
A
V
ns
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
V
GS
= 0 V,I
F
= 1.25 A ,二
F
/ DT = 100 A / μs的
V
GS
= 0 V,I
F
= -1.25一,二
F
/ DT = 100 A / μs的
P
D
(
t
) =
R
θ
J A
t
)
(
T
J
T
A
=
R
θ
J·C
R
θ
CA
t
)
+
(
T
J
T
A
=
I
2
(
t
) ×
R
DS
(
ON
)
D
2
T
J
典型ř
θ
JA
对于单台设备的操作使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局:
一。 78 ℃/在2盎司cpper的垫安装在一个0.5当W 。
B 。在2盎司cpper垫安装在0.02时, 125℃ / W 。
Ç 。在2盎司cpper垫安装在0.003时, 135℃ / W 。
o
2
o
2
o
1a
1b
1c
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 % 。
NDS9952A.SAM