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NDS9952A 参数 Datasheet PDF下载

NDS9952A图片预览
型号: NDS9952A
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内容描述: 双N和P沟道增强型场效应晶体管 [Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 366 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
BV
DSS
I
DSS
参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
条件
V
GS
= 0 V,I
D
= 250 µA
V
GS
= 0 V,I
D
= -250 µA
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
门 - 体泄漏,正向
门 - 体泄漏,反向
栅极阈值电压
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 µA
T
J
= 125°C
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 µA
T
J
= 125°C
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10 V,I
D
= 1.0 A
T
J
= 125°C
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 0.5 A
T
J
= 125°C
V
GS
= -10 V,I
D
= -1.0 A
T
J
= 125°C
V
GS
= -4.5 V,I
D
= -0.5 A
T
J
= 125°C
I
D(上)
g
FS
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
V
GS
= -10 V, V
DS
= -5 V
V
DS
= 15 V,I
D
= 3.7 A
V
DS
= -15 V,I
D
= -2.9 A
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
P沟道
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
320
350
225
260
85
100
pF
pF
pF
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
15
-10
6
4
S
P沟道
N沟道
P沟道
所有
所有
N沟道
1
0.7
-1
-0.85
1.7
1.2
-1.6
-1.25
0.06
0.08
0.08
0.11
0.11
0.15
0.17
0.24
P沟道
TYPE
N沟道
P沟道
N沟道
30
-30
2
25
-2
-25
100
-100
2.8
2.2
-2.8
-2.5
0.08
0.13
0.11
0.18
0.13
0.21
0.2
0.32
A
典型值
最大
单位
V
V
µA
µA
µA
µA
nA
nA
V
开关特性
基本特征
(注2 )
NDS9952A.SAM