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NDS9952A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NDS9952A
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内容描述: 双N和P沟道增强型场效应晶体管 [Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 366 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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典型电气特性: N沟道
(续)
漏源击穿电压
1.12
I
D
= 250µA
10
5
I
S
,反向漏电流( A)
V
GS
= 0V
BV
DSS
归一化
1.08
1
0.5
TJ = 125°C
1.04
25°C
-55°C
0.1
1
0.96
0.01
0.92
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
,结温( ° C)
125
150
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
,体二极管正向电压( V)
1.4
图7. N沟道击穿电压变化
与温度。
图8. N沟道体二极管正向电压
变化与电流和温度
.
1000
800
10
I
D
= 3.7A
V
GS
,栅源电压(V )
8
V
DS
= 10V
20V
500
电容(pF)
ç国际空间站
300
200
15V
6
ç OSS
4
100
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
ç RSS
30
2
50
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
V
DS
,漏源极电压( V)
0
0
2
4
6
8
Q
g
,栅极电荷( NC)
10
12
图9. N沟道电容特性。
图10. N沟道栅极电荷特性。
10
,跨导( SIEMENS )
V
DS
=10V
8
T J = -55°C
25°C
125°C
6
4
2
g
0
0
FS
2
4
6
I
D
,漏电流( A)
8
10
图11. N沟道跨导变化
与漏电流和温度。
NDS9952A.SAM