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NDS9952A 参数 Datasheet PDF下载

NDS9952A图片预览
型号: NDS9952A
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内容描述: 双N和P沟道增强型场效应晶体管 [Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 366 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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典型的热特性:N & P通道
2.5
稳态功率耗散( W)
I
D
,稳定状态下的漏电流(A)
5
2
总功率为双操作
4
1a
1a
1.5
电源单操作
3
1c
1b
1
1b
1c
4.5"x5"的FR-4板
T
A
= 25 C
静止的空气中
o
2
4.5"x5"的FR-4板
T
A
= 2 5
o
C
静止的空气中
V
的s
= 1 0 V
0.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
2盎司覆铜安装垫面积(
2
)
1
1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
2盎司覆铜安装垫面积(
2
)
0.5
图23. SO- 8封装的双最大
稳态功耗与
铜垫的安装面积。
5
I
D
,稳定状态下的漏电流(A)
图24. N-CH最大稳态
漏电流与铜安装
焊盘面积。
30
10
I
D
,漏电流( A)
4
3
1
0.3
0.1
R
(O
DS
N)
LIM
IT
10
0u
1米s
s
10
10
1s
0m
ms
s
3
1a
1b
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
J A
10
s
DC
2
1c
4.5"x5"的FR-4板
T
A
= 2 5
o
C
静止的空气中
V
的s
= - 1 0 V
=见注释1℃
0.03
0.01
0.1
T
A
= 25°C
0.5
1
2
5
10
30
50
1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
2盎司覆铜安装垫面积(
2
)
0.5
0.2
V
DS
,漏源电压(V )
图25. P沟道最大稳态
漏电流与铜安装
焊盘面积。
图26. N沟道最高安全工作
区。
30
10
-I
D
,漏电流( A)
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
N
S(O
IM
)L
IT
10
1m
10
10
0m
ms
s
0u
s
s
RD
1s
V
GS
= -10V
单脉冲
R
θ
J A
10
s
DC
=见注释1℃
T
A
= 25°C
0.5
1
2
5
10
- V
DS
,漏源电压(V )
30
50
0.2
图27. P- Channel最大安全工作
区。
NDS9952A.SAM