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    NDS9952A 参数 Datasheet PDF下载

    NDS9952A图片预览
    型号： NDS9952A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N和P沟道增强型场效应晶体管 [Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 13 页 / 366 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号NDS9952A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NDS9952A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NDS9952A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NDS9952A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NDS9952A的Datasheet PDF文件第8页浏览型号NDS9952A的Datasheet PDF文件第9页浏览型号NDS9952A的Datasheet PDF文件第10页浏览型号NDS9952A的Datasheet PDF文件第11页  
    典型电气特性： P通道
    （续）
    1.1
    漏源击穿电压
    I
    D
    = -250µA
    1.08
    1.06
    1.04
    1.02
    1
    0.98
    0.96
    0.94
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    125
    150
    -I
    S
    ，反向漏电流（ A）
    10
    5
    V
    GS
    = 0V
    BV
    DSS
    归一化
    1
    0.5
    T = 125°C
    J
    25°C
    -55°C
    0.1
    0.01
    0.001
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1
    1.2
    -V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    1.4
    图18. P沟道击穿电压
    随温度的变化。
    图19. P沟道体二极管正向
    电压变化与电流和
    温度
    .
    1000
    800
    10
    -V
    GS
    ，栅源电压（V ）
    I
    D
    = -2.9A
    8
    V
    DS
    = -10V
    -20V
    -15V
    500
    电容（pF）
    ç国际空间站
    300
    200
    6
    ç OSS
    4
    100
    F = 1 MHz的
    V
    GS
    = 0V
    ç RSS
    2
    50
    0.1
    0.2
    0.5
    1
    2
    5
    10
    -V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    30
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    Q
    g
    ，栅极电荷（ NC）
    10
    12
    图20. P沟道电容特性。
    图21. P沟道栅极电荷特性。
    6
    V
    DS
    = -15V
    ，跨导（ SIEMENS ）
    5
    TJ = -55°C
    25°C
    4
    125°C
    3
    2
    1
    g
    0
    0
    FS
    -2
    I
    D
    -4
    -6
    ，漏电流（ A）
    -8
    -10
    图22. P沟道跨导变化
    与漏电流和温度。
    NDS9952A.SAM

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