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    NDS9952A 参数 Datasheet PDF下载

    NDS9952A图片预览
    型号： NDS9952A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N和P沟道增强型场效应晶体管 [Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 13 页 / 366 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号NDS9952A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号NDS9952A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NDS9952A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NDS9952A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NDS9952A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NDS9952A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NDS9952A的Datasheet PDF文件第8页浏览型号NDS9952A的Datasheet PDF文件第9页  
    典型电气特性： N沟道
    20
    V
    GS
    =10V
    8.0
    3
    6.0
    漏源导通电阻
    ，漏源电流（A ）
    5.0
    4.5
    R
    DS （ ON）
    归一化
    15
    V
    GS
    = 3.5V
    2.5
    4.0
    2
    10
    4.0
    4.5
    1.5
    5.0
    6.0
    8.0
    10
    3.5
    5
    1
    3.0
    0
    0
    1
    2
    V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    3
    I
    D
    0.5
    0
    3
    6
    9
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    12
    15
    图1. N沟道开区域特点。
    图2. N沟道导通电阻变化与
    栅极电压和漏极电流。
    1.6
    2
    漏源导通电阻
    1.4
    R
    DS （ ON）
    归一化
    R
    DS （ ON）
    归一化
    V
    的s
    = 10V
    漏源导通电阻
    I
    D
    = 3.7A
    V
    GS
    = 10 V
    1.5
    1.2
    TJ = 125°C
    1
    25°C
    1
    0.8
    -55°C
    0.6
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    125
    150
    0.5
    0
    3
    6
    9
    I D ，漏电流（ A）
    12
    15
    图3. N沟道导通电阻变化与
    温度。
    图4. N沟道导通电阻变化与
    漏电流和温度。
    10
    门源阈值电压
    1.2
    V
    DS
    = 10V
    8
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    TJ = -55°C
    125°C
    25°C
    1.1
    V
    DS
    = V
    GS
    I
    D
    = 250µA
    V
    th
    归一化
    1
    6
    0.9
    4
    0.8
    2
    0.7
    0
    1
    2
    3
    4
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    5
    0.6
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    125
    150
    图5. N沟道转移
    的特点。
    图6. N沟道栅极阈值变化
    与温度。
    NDS9952A.SAM

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