M11L416256SA-40T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	M11L416256SA-40T
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内容描述：	[EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40]
分类和应用：	动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小：	16 页 / 230 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

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M11L416256A/M11L416256SA

READ CYCLE

t_{R C}

t_{R A S}

t_{R P}

V ^{I H}

V I L

RA S

t_{C S H}

t_{R S H}

t_{RR H}

t_{C R P}

t_{C LC H}

t_{R C D}

t _{C A S}

V I H

V ^{I L}

CA SL ,C AS H

t_{A R}

t_{R A L}

t_{C A H}

t_{R AD}

t_{R AH}

t_{A S C}

t_{A S R}

V ^{I H}

V I L

AD D R

W E

R O W

C O L U M N

t_{RC H}

t_{R C S}

V I H

V ^{I L}

t _{A A}

t_{R AC}

NO TE1

t_{O F F 1}

t_{C AC}

t_{C L Z}

VO H

VO L

I/ O

OP EN

O PE N

VAL ID D A TA

t_{O F F 2}

t_{O A C}

V ^{I H}

V I L

EARLY WRITE CYCLE

t_{R C}

t_{R A S}

t_{R P}

V ^IH

V IL

R A S

t_{C S H}

t_{R S H}

t_{C R P}

t_{RC D}

t_{C A S}t_{CL C H}

V I H

V ^{I L}

CA SL ,C AS H

t_{A R}

t_{R A L}

t_{C A H}

t_{R AD}

t_{R AH}

t _{A S R}

t_{A S C}

V I H

V ^{I L}

C O L U M N

R O W

A D D R

R O W

t_{C W L}

t_{R W L}

t_{W C R}

t_{W C H}

t_{W C S}

t_{W P}

V ^{I H}

V I L

W E

t_{D H R}

t_{D H}

t_{D S}

V ^IH

V IL

I/O

VA LI D D AT A

V IH

V IL

DON'T CARE

UNDEFINED

OFF1

Note: 1. t

is referenced from the rising edge of RAS or CAS , whichever occurs last.

Elite Memory Technology Inc

Publication Date: Agu. 2001

Revision : 1.3

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