M11L416256SA-40T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	M11L416256SA-40T
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内容描述：	[EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40]
分类和应用：	动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小：	16 页 / 230 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

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M11L416256A/M11L416256SA

EDO-PAGE-MODE READ-EARLY-WRITE CYCLE

(Psuedo READ-MODIFY-WRITE)

t_{R A S C}

t_{R P}

V^{I H}

V^{I L}

R AS

t_{C S H}

t_{C P}

t_{P C}

t_{C A S}

t_{R S H}

t^{C A S}

t_{C R P}

t^{RC D}

t^{C P}

t_{C A S}

t_{C P}

V^{I H}

I L

CA SL ,C A SH

t _{A R}

t_{A S C}

t _{R A L}

t_{R AD}

t_{R A H}

t_{C A H}

t_{A S R}

t_{C A H}

t_{A S C}

t _{C A H}

t_{A S C}

V ^{I H}

V ^{I L}

A D D R

C O L U M N ( A )

R O W

C O L U M N ( B )

C O LU M N ( N )

R O W

t_{RC H}

t_{R C S}

t_{W C H}

t^{W C S}

V ^{I H}

V ^{I L}

W E

t _{A A}

t_{W H Z}

t _{R A C}

t_{A C P}

t_{D S}

t_{D H}

t_{C A C}

t_{C O H}

V^{I / O H}

V^{I / O L}

V A L I D

D A T A ( B )

V A L I D

D AT A I N

VA L ID D A TA( A)

O PE N

I/O

t^{O A C}

V^{I H}

V^{I L}

RASONLY REFRESH CYCLE

(ADDR = A0~A8 ; OE , WE = DON’T CARE)

t_{R C}

t_{R A S}

t_{R P}

V^{I H}

V^{I L}

R AS

t_{C R P}

t_{R P C}

V ^{I H}

V ^{I L}

CA SL , C AS H

AD D R

t _{A S R}

t _{R A H}

V ^{I H}

V ^{I L}

R O W

V^{O H}

V^{O L}

O PE N

I/O

DON'T CARE

UNDEFINED

Elite Memory Technology Inc

Publication Date: Agu. 2001

Revision : 1.3

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