M11L416256SA-40T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	M11L416256SA-40T
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内容描述：	[EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40]
分类和应用：	动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小：	16 页 / 230 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

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M11L416256A/M11L416256SA

EDO-PAGE-MODE EARLY-WRITE CYCLE

t_{R AS C}

t_{R P}

V^{I H}

V^{I L}

R AS

t_{C S H}

t_{P C}

t_{R S H}

( N O TE 1)

t_{C A S ,}t_{C L C H}

t_{C AS ,}t_{C L C H}

t_{C R P}

t_{C A S ,}t_{C L CH}

t_{C P}

t_{RC D}

t_{C P}

V^{I H}

V^{I L}

CA SL,C ASH

t_{A R}

t_{A S C}

t_{R AL}

t_{C A H}

t_{R AD}

t_{A S R}t_{R A H}

t_{C A H}

t_{A S C}t_{C A H}

t_{A S C}

V ^{I H}

V ^{I L}

CO L U M N

AD D R

C O LU M N

t_{C W L}

RO W

t_{C W L}

t_{W C H}

t _{W P}

t_{W C S}

t_{W C H}

t _{W P}

V ^{I H}

V ^{I L}

W E

t_{W C R}

t_{DH R}

t_{D H}

t_{R W L}

t_DH

t_{D S}

t_{D H}

t_{D S}

V^{I H}

I L

I/ O

VAL ID D AT A

VALI D D ATA

VAL ID D AT A

V^{I H}

V^{I L}

EDO-PAGE-MODE READ-WRITE CYCLE

(LATE WRITE and READ-MODIFY-WRITE CYCLES)

t_{R A S C}

t_{R P}

V^{I H}

V^{I L}

R AS

t_{R S H}

t_{C S H}

t_{P C M}

t_{C A S ,}t_{C L C H}

t_{CA S ,}t_{C L C H}

t_{C P}

t_CP

t_{C R P}

t_{RC D}

t_{C P}

t_{C AS ,}t_{C L C H}

V^{I H}

V^{I L}

CASL ,CAS H

t_{A R}

t_{R A L}

t_{C A H}

t_{R AD}

t_{C AH}

t_{A S R}

t_{A S C}

t_{R A H}

t_{AS C}t_{C A H}

C O L UM N

V ^{I H}

V ^{I L}

A D D R

RO W

C O L UM N

C O LU M N

R O W

t_{R W D}

t_{C W L}

t _{W P}

t_{R W L}

t_{R C S}

t_{C W L}

t _{W P}

t_{A W D}

t_{C W D}

t_{C W L}

t _{W P}

t_{A W D}

t_{C W D}

t_{A W D}

t_{CW D}

V ^IH

V ^IL

W E

t _{A A}

t_{A A}

t_{R AC}

t_DH

t_{D H}

t_{D S}

t_{A C P}

t_{AC P}

t_{C AC}

t_{C L Z}

t_{D S}

t_{C AC}

t_{CL Z}

t_{C AC}

t_{C L Z}

V^{I / O H}

V^{I / O L}

V A L I D

VA L I D

D^I

V A L I D V A L I D

V A L I D

VA L I D

U T

I/O

D _O

I N

t_{O F F}

t_{O F F 2}

t_{O E H}

t_{O F F 2}

t_{O A C}

t_{O AC}

t_{O A C}

V ^{I H}

V ^{I L}

DON'T CARE

UNDEFINED

Note : 1. t can be measured from falling edge to falling edge of CAS , or from rising edge to rising edge of CAS . Both

measurements must meet the t specification.

Elite Memory Technology Inc

Publication Date: Agu. 2001

Revision : 1.3 10/16

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