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EN29LV400AB-70TI 参数 Datasheet PDF下载

EN29LV400AB-70TI图片预览
型号: EN29LV400AB-70TI
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内容描述: 4兆位( 512K ×8位/ 256K ×16位)闪存引导扇区快闪记忆体, CMOS 3.0伏只 [4 Megabit (512K X 8-bit / 256K X 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 41 页 / 378 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29LV400A  
Test Conditions  
3.3 V  
2.7 kΩ  
Device Under Test  
CL  
6.2 kΩ  
Note: Diodes are IN3064 or equivalent  
Test Specifications  
Test Conditions  
Output Load  
-45R  
-55R  
-70  
-90  
Unit  
1 TTL Gate  
Output Load Capacitance, CL  
Input Rise and Fall times  
Input Pulse Levels  
30  
5
30  
30  
5
100  
5
pF  
ns  
V
5
0.0-3.0  
0.0-3.0  
0.0-3.0  
0.0-3.0  
Input timing measurement  
reference levels  
Output timing measurement  
reference levels  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
V
V
This Data Sheet may be revised by subsequent versions  
or modifications due to changes in technical specifications.  
©2005 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw  
24  
Rev. A, Issue Date: 2005/01/07  
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