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EN29LV400AB-70TI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29LV400AB-70TI
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内容描述: 4兆位( 512K ×8位/ 256K ×16位)闪存引导扇区快闪记忆体, CMOS 3.0伏只 [4 Megabit (512K X 8-bit / 256K X 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 41 页 / 378 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29LV400A  
Table 9. AC CHARACTERISTICS  
Write (Erase/Program) Operations  
Parameter  
Symbols  
Speed Options  
JEDEC  
Standard Description  
-45R  
-55R  
-70  
-90  
Unit  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
45  
55  
70  
90  
ns  
tAVAV  
tWC  
tAS  
Write Cycle Time  
0
35  
20  
0
0
45  
25  
0
0
45  
30  
0
0
45  
45  
0
ns  
ns  
ns  
ns  
tAVWL  
tWLAX  
tDVWH  
tWHDX  
Address Setup Time  
Address Hold Time  
Data Setup Time  
tAH  
tDS  
tDH  
tOES  
Data Hold Time  
Min  
MIn  
Min  
0
0
0
0
0
0
0
0
ns  
ns  
ns  
Output Enable Setup Time  
Read  
Output Enable  
Toggle and  
Hold Time  
tOEH  
10  
10  
10  
10  
Data# Polling  
Read Recovery Time before  
Write (OE# High to WE# Low)  
Min  
0
0
0
0
ns  
tGHWL  
tELWL  
tWHEH  
tWLWH  
tWHDL  
tGHWL  
tCS  
CE# SetupTime  
CE# Hold Time  
Min  
Min  
Min  
Min  
0
0
0
0
0
0
0
0
ns  
ns  
ns  
ns  
tCH  
25  
20  
30  
20  
35  
20  
45  
20  
tWP  
Write Pulse Width  
tWPH  
Write Pulse Width High  
Typ  
8
8
8
8
µs  
Programming Operation  
(Word AND Byte Mode)  
tWHWH1 tWHWH1  
Max  
Typ  
Min  
300  
0.5  
50  
300  
0.5  
50  
300  
0.5  
50  
300  
0.5  
50  
µs  
s
tWHWH2 tWHWH2  
Sector Erase Operation  
Vcc Setup Time  
µs  
tVCS  
Min  
500  
500  
500  
500  
ns  
tVIDR  
Rise Time to V  
ID  
This Data Sheet may be revised by subsequent versions  
or modifications due to changes in technical specifications.  
©2005 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw  
28  
Rev. A, Issue Date: 2005/01/07  
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