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EN29LV400AB-70TI 参数 Datasheet PDF下载

EN29LV400AB-70TI图片预览
型号: EN29LV400AB-70TI
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内容描述: 4兆位( 512K ×8位/ 256K ×16位)闪存引导扇区快闪记忆体, CMOS 3.0伏只 [4 Megabit (512K X 8-bit / 256K X 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 41 页 / 378 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29LV400A  
AC CHARACTERISTICS  
Word / Byte Configuration (Byte#)  
Speed  
Unit  
Std  
Parameter  
Description  
-45R  
0
-55R  
0
-70  
0
-90  
0
tBCS  
Byte# to CE# switching setup time  
CE# to Byte# switching hold time  
RY/BY# to Byte# switching hold time  
Min  
Min  
Min  
ns  
ns  
ns  
tCBH  
0
0
0
0
0
0
0
0
tRBH  
CE#  
OE#  
Byte#  
tBCS  
tCBH  
Byte# timings for Read Operations  
CE#  
WE#  
Byte#  
tRBH  
tBCS  
RY/BY#  
Byte# timings for Write Operations  
Note: Switching BYTE# pin not allowed during embedded operations  
This Data Sheet may be revised by subsequent versions  
or modifications due to changes in technical specifications.  
©2005 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw  
26  
Rev. A, Issue Date: 2005/01/07  
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