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    HM5225805BLTT-75 参数 Datasheet PDF下载

    HM5225805BLTT-75图片预览
    型号： HM5225805BLTT-75
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： LVTTL 256M SDRAM接口的133 MHz / 100 MHz的4 Mword 】 16位】 4银行/ 8 - Mword 】 8位】 4银行/ 16 Mword 】 4位】 4银行PC / 133 ， PC / 100 SDRAM [256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器PC时钟
    文件页数/大小： 63 页 / 454 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号HM5225805BLTT-75的Datasheet PDF文件第22页浏览型号HM5225805BLTT-75的Datasheet PDF文件第23页浏览型号HM5225805BLTT-75的Datasheet PDF文件第24页浏览型号HM5225805BLTT-75的Datasheet PDF文件第25页浏览型号HM5225805BLTT-75的Datasheet PDF文件第27页浏览型号HM5225805BLTT-75的Datasheet PDF文件第28页浏览型号HM5225805BLTT-75的Datasheet PDF文件第29页浏览型号HM5225805BLTT-75的Datasheet PDF文件第30页  
    HM5225165B/HM5225805B/HM5225405B-75/A6/B6  
    Write with auto-precharge: In this operation, since precharge is automatically performed after completing  
    a burst write or single write operation, a precharge command need not be executed after each write operation.  
    The command executed for the same bank after the execution of this command must be the bank active  
    (ACTV) command. In addition, an interval of lAPW is required between the final valid data input and input of  
    next command.  
    Burst Write (Burst Length = 4)  
    CLK  
    WRIT A  
    ACTV  
    ACTV  
    Command  
    DQ (input)  
    IRAS  
    in0 in1 in2 in3  
    lAPW  
    Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".  
    and an interval of tRAS (lRAS) is required between previous active (ACTV) command  
    and internal precharge " ".  
    Single Write  
    CLK  
    WRIT A  
    ACTV  
    ACTV  
    Command  
    IRAS  
    DQ (input)  
    in  
    lAPW  
    Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".  
    and an interval of tRAS (lRAS) is required between previous active (ACTV) command  
    and internal precharge " ".  
    Data Sheet E0082H10  
    26  

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