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HM51W16165LTT-5 参数 Datasheet PDF下载

HM51W16165LTT-5图片预览
型号: HM51W16165LTT-5
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内容描述: 16M的EDO DRAM ( 1 - Mword ×16位), 4K的刷新/ 1千刷新 [16 M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 35 页 / 598 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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HM51W16165 Series, HM51W18165 Series  
Read Cycle  
HM51W16165/HM51W18165  
-5 -6 -7  
Symbol Min Max Min Max Min  
Parameter  
Max Unit  
Notes  
8, 9  
Access time from RAS  
Access time from CAS  
Access time from address  
Access time from OE  
tRAC  
tCAC  
tAA  
0
50  
13  
25  
13  
0
60  
15  
30  
15  
0
70  
18  
35  
18  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
9, 10, 17  
9, 11, 17  
9
tOEA  
tRCS  
tRCH  
tRCHR  
Read command setup time  
Read command hold time to CAS  
21  
0
0
0
12, 22  
Read command hold time from  
50  
60  
70  
RAS  
Read command hold time to RAS  
tRRH  
0
13  
13  
13  
13  
0
15  
15  
15  
15  
0
15  
15  
15  
15  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
12  
27  
Column address to RAS lead time tRAL  
Column address to CAS lead time tCAL  
25  
15  
0
30  
18  
0
35  
23  
0
CAS to output in low-Z  
tCLZ  
Output data hold time  
tOH  
3
3
3
Output data hold time from OE  
Output buffer turn-off time  
Output buffer turn-off to OE  
CAS to Din delay time  
tOHO  
tOFF  
tOEZ  
tCDD  
tOHR  
tOFR  
tWEZ  
tWED  
tRDD  
tRNCD  
3
3
3
13  
3
15  
3
18  
3
13, 27  
13  
5
Output data hold time from RAS  
Output buffer turn-off to RAS  
Output buffer turn-off to WE  
WE to Din delay time  
27  
13  
13  
50  
15  
15  
60  
18  
18  
70  
27  
RAS to Din delay time  
RAS next CAS delay time  
Data Sheet E0153H10  
12  
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