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    SMJ44C251B-12HJM 参数 Datasheet PDF下载

    SMJ44C251B-12HJM图片预览
    型号： SMJ44C251B-12HJM
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256K ×4 VRAM 256K ×4的DRAM 512K ×4的SAM [256K X 4 VRAM 256K x 4 DRAM with 512K x 4 SAM]
    分类和应用： 内存集成电路动态存储器
    文件页数/大小： 57 页 / 1255 K
    品牌： AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号SMJ44C251B-12HJM的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SMJ44C251B-12HJM的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SMJ44C251B-12HJM的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SMJ44C251B-12HJM的Datasheet PDF文件第9页浏览型号SMJ44C251B-12HJM的Datasheet PDF文件第11页浏览型号SMJ44C251B-12HJM的Datasheet PDF文件第12页浏览型号SMJ44C251B-12HJM的Datasheet PDF文件第13页浏览型号SMJ44C251B-12HJM的Datasheet PDF文件第14页  
    VRAM  
    SMJ44C251B  
    MT42C4256  
    Austin Semiconductor, Inc.  
    FIGURE 3: BLOCK-WRITE CIRCUIT BLOCK DIAGRAM  
    FIGURE 4: EXAMPLE OF BLOCK WRITE OPERATION WITH DQ  
    MASKANDADDRESS MASK  
    Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
    SMJ44C251B/MT42C4256  
    Rev. 0.1 12/03  
    10  

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