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AS4LC1M16883C 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AS4LC1M16883C
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内容描述: 1 MEG ×16 DRAM [1 MEG x 16 DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 22 页 / 194 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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AS4LC1M16 883C  
1 MEG x 16 DRAM  
AUSTIN SEMICONDUCTOR, INC.  
PRELIMINARY  
ELECTRICAL TEST REQUIREMENTS  
SUBGROUPS  
MIL-STD-883TESTREQUIREMENTS  
(perMethod5005, Table I)  
INTERIM ELECTRICAL (PRE-BURN-IN) TEST PARAMETERS  
(Method 5004)  
2, 8A, 10  
FINAL ELECTRICAL TEST PARAMETERS  
(Method 5004)  
1*, 2, 3, 7*, 8, 9, 10, 11  
1, 2, 3, 4**, 7, 8, 9, 10, 11  
1, 2, 3, 7, 8, 9, 10, 11  
GROUP A TEST REQUIREMENTS  
(Method 5005)  
GROUP C AND D END-POINT ELECTRICAL PARAMETERS  
(Method 5005)  
*
PDA applies to subgroups 1 and 7.  
** Subgroup 4 shall be measured only for initial qualification and after process or design changes, which may affect input  
or output capacitance.  
AS4LC1M16  
REV. 3/97  
DS000020  
Austin Semiconductor, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.  
2-113  
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