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    M41000002T 参数 Datasheet PDF下载

    M41000002T图片预览
    型号： M41000002T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 32兆位（ 4米×8位/ 2的M× 16位） CMOS 3.0伏只，同步读/写闪存和8兆位（ 1一M× 8位/ 512的K× 16位）静态RAM [32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Memory and 8 Mbit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) Static RAM]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 66 页 / 1128 K
    品牌： AMD [ AMD ]
     浏览型号M41000002T的Datasheet PDF文件第54页浏览型号M41000002T的Datasheet PDF文件第55页浏览型号M41000002T的Datasheet PDF文件第56页浏览型号M41000002T的Datasheet PDF文件第57页浏览型号M41000002T的Datasheet PDF文件第59页浏览型号M41000002T的Datasheet PDF文件第60页浏览型号M41000002T的Datasheet PDF文件第61页浏览型号M41000002T的Datasheet PDF文件第62页  
    P R E L I M I N A R Y  
    AC CHARACTERISTICS  
    tRC  
    Address  
    tAA  
    tCO1  
    tOH  
    CE#1s  
    CE2s  
    tCO2  
    tOE  
    tHZ  
    OE#  
    tOLZ  
    tBLZ  
    tLZ  
    tOHZ  
    Data Out  
    High-Z  
    Data Valid  
    Figure 29. SRAM Read Cycle  
    Notes:  
    1. WE# = VIH, if CIOs is low, ignore UB#s/LB#s timing.  
    2. tHZ and tOHZ are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and are not referenced to output  
    voltage levels.  
    3. At any given temperature and voltage condition, tHZ (Max.) is less than tLZ (Min.) both for a given device and from device to device  
    interconnection.  
    September 5, 2002  
    Am41DL32x8G  
    57  

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