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HY29F800BT-70E 参数 Datasheet PDF下载

HY29F800BT-70E图片预览
型号: HY29F800BT-70E
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内容描述: X8 / X16闪存EEPROM [x8/x16 Flash EEPROM ]
分类和应用: 闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 40 页 / 311 K
品牌: ETC [ ETC ]
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HY29F800  
WE# = VIH. To initiate a write cycle, CE# and WE#  
must be a logical zero while OE# is a logical one.  
Sector Protection  
Additional data protection is provided by the  
HY29F800’s sector protect feature, described pre-  
viously, which can be used to protect sensitive  
areas of the Flash array from accidental or unau-  
thorized attempts to alter the data.  
Power-Up Write Inhibit  
If WE# = CE# = VIL and OE# = VIH during power  
up, the device does not accept commands on the  
rising edge of WE#. The internal state machine is  
automatically reset to the Read mode on power-  
up.  
Rev. 4.0/Jan. 00  
19  
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