VG36646141BT-8 参数 Datasheet PDF下载

型号：	VG36646141BT-8
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内容描述：	CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	70 页 / 973 K
品牌：	VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]

Preliminary

VG36641641BT

CMOS Synchronous Dynamic RAM

VIS

READ to WRITE Command Interval

CAS latency=2

CLK

Read

Write

Command

DQM

Hi-Z

1 cycle

Burst length=8, CAS latency=2

T8 T9

CLK

Command

DQM

Write

Read

Hi-Z is

necessary

example: Burst length=4, CAS latency=3

CLK

Command

Read

Write

DQM

Hi-Z is

necessary

The minimum command interval = (4+1) cycles

Document : 1G5-0127

Rev2

Page24

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