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    V23990-K209-A-/1A/-PM 参数 Datasheet PDF下载

    V23990-K209-A-/1A/-PM图片预览
    型号： V23990-K209-A-/1A/-PM
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Insulated Gate Bipolar Transistor, 18A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel]
    分类和应用： 局域网栅功率控制晶体管
    文件页数/大小： 17 页 / 2488 K
    品牌： VINCOTECH [ VINCOTECH ]
     浏览型号V23990-K209-A-/1A/-PM的Datasheet PDF文件第1页浏览型号V23990-K209-A-/1A/-PM的Datasheet PDF文件第2页浏览型号V23990-K209-A-/1A/-PM的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V23990-K209-A-/1A/-PM的Datasheet PDF文件第5页浏览型号V23990-K209-A-/1A/-PM的Datasheet PDF文件第6页浏览型号V23990-K209-A-/1A/-PM的Datasheet PDF文件第7页浏览型号V23990-K209-A-/1A/-PM的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V23990-K209-A-/1A/-PM的Datasheet PDF文件第9页  
    V23990-K209-A-PM
    datasheet
    T1,T2,T3,T4,T5,T6,T7 / D1,D2,D3,D4,D5,D6,D7
    Figure 1
    Typical output characteristics
    I
    C
    = f(V
    CE
    )
    25
    I
    C
    (A)
    I
    C
    (A)
    IGBT
    Figure 2
    Typical output characteristics
    I
    C
    = f(V
    CE
    )
    25
    IGBT
    20
    20
    15
    15
    10
    10
    5
    5
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    V
    CE
    (V)
    5
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    V
    CE
    (V)
    5
    At
    t
    p
    =
    T
    j
    =
    V
    GE
    from
    µs
    250
    25
    °C
    7 V to 17 V in steps of 1 V
    At
    t
    p
    =
    T
    j
    =
    V
    GE
    from
    250
    µs
    125
    °C
    7 V to 17 V in steps of 1 V
    Figure 3
    Typical transfer characteristics
    I
    C
    = f(V
    GE
    )
    12
    I
    C
    (A)
    IGBT
    Figure 4
    Typical diode forward current as
    a function of forward voltage
    I
    F
    = f(V
    F
    )
    20
    I
    F
    (A)
    FWD
    16
    9
    12
    T
    j
    = 25°
    C
    6
    T
    j
    = T
    jmax
    -25°
    C
    8
    3
    T
    j
    = 25°
    C
    T
    j
    = T
    jmax
    -25°
    C
    4
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    V
    GE
    (V)
    12
    0
    0
    0,5
    1
    1,5
    2
    2,5
    V
    F
    (V)
    3
    At
    t
    p
    =
    V
    CE
    =
    250
    10
    µs
    V
    At
    t
    p
    =
    250
    µs
    copyright Vincotech
    4
    Revision: 3

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