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    V23990-K209-A-/1A/-PM 参数 Datasheet PDF下载

    V23990-K209-A-/1A/-PM图片预览
    型号： V23990-K209-A-/1A/-PM
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Insulated Gate Bipolar Transistor, 18A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel]
    分类和应用： 局域网栅功率控制晶体管
    文件页数/大小： 17 页 / 2488 K
    品牌： VINCOTECH [ VINCOTECH ]
     浏览型号V23990-K209-A-/1A/-PM的Datasheet PDF文件第5页浏览型号V23990-K209-A-/1A/-PM的Datasheet PDF文件第6页浏览型号V23990-K209-A-/1A/-PM的Datasheet PDF文件第7页浏览型号V23990-K209-A-/1A/-PM的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V23990-K209-A-/1A/-PM的Datasheet PDF文件第10页浏览型号V23990-K209-A-/1A/-PM的Datasheet PDF文件第11页浏览型号V23990-K209-A-/1A/-PM的Datasheet PDF文件第12页浏览型号V23990-K209-A-/1A/-PM的Datasheet PDF文件第13页  
    V23990-K209-A-PM
    datasheet
    T1,T2,T3,T4,T5,T6,T7 / D1,D2,D3,D4,D5,D6,D7
    Figure 21
    Power dissipation as a
    function of heatsink temperature
    P
    tot
    = f(T
    h
    )
    120
    P
    tot
    (W)
    IGBT
    Figure 22
    Collector current as a
    function of heatsink temperature
    I
    C
    = f(T
    h
    )
    25
    I
    C
    (A)
    IGBT
    100
    20
    80
    15
    60
    10
    40
    5
    20
    0
    0
    50
    100
    150
    T
    h
    (
    o
    C)
    200
    0
    0
    50
    100
    150
    T
    h
    (
    o
    C)
    200
    At
    T
    j
    =
    175
    °C
    At
    T
    j
    =
    V
    GE
    =
    175
    15
    °C
    V
    Figure 23
    Power dissipation as a
    function of heatsink temperature
    P
    tot
    = f(T
    h
    )
    60
    P
    tot
    (W)
    FWD
    Figure 24
    Forward current as a
    function of heatsink temperature
    I
    F
    = f(T
    h
    )
    20
    I
    F
    (A)
    FWD
    16
    45
    12
    30
    8
    15
    4
    0
    0
    30
    60
    90
    120
    T
    h
    (
    o
    C)
    150
    0
    0
    30
    60
    90
    o
    120
    T
    h
    ( C)
    150
    At
    T
    j
    =
    150
    °C
    At
    T
    j
    =
    150
    °C
    copyright Vincotech
    9
    Revision: 3

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