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BQ4015YMA-120N 参数 Datasheet PDF下载

BQ4015YMA-120N图片预览

型号：	BQ4015YMA-120N
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内容描述：	512Kx8非易失SRAM [512Kx8 Nonvolatile SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	13 页 / 518 K
品牌：	TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]

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bq4015/Y

Read Cycle No. 1 (Address Access) ^{1, 2}

Read Cycle No. 2 (CE Access) ^{1, 2, 3}

1,5

Read Cycle No. 3 (OE Access)

Notes:

1. WE is held high for a read cycle.

2. Device is continuously selected: CE = OE = V_IL

.

3. Address is valid prior to or coincident with CE transition low.

4. OE = V_IL

5. Device is continuously selected: CE = V_IL

.

.

6

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