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BQ4015YMA-120N 参数 Datasheet PDF下载

BQ4015YMA-120N图片预览
型号: BQ4015YMA-120N
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内容描述: 512Kx8非易失SRAM [512Kx8 Nonvolatile SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 518 K
品牌: TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
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bq4015/Y  
AC Test Conditions  
Parameter  
Test Conditions  
0V to 3.0V  
5 ns  
Input pulse levels  
Input rise and fall times  
Input and output timing reference levels  
Output load (including scope and jig)  
1.5 V (unless otherwise specified)  
See Figures 1 and 2  
Figure 1. Output Load A  
Figure 2. Output Load B  
Read Cycle (T = T  
A
, V  
V  
CC  
V  
)
OPR CCmin  
CCmax  
-70  
-85/-85N  
-120/-120N  
Min. Max. Min. Max. Min. Max.  
Symbol  
Parameter  
Unit  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Conditions  
tRC  
Read cycle time  
70  
-
-
85  
-
-
120  
-
-
120  
120  
60  
-
tAA  
Address access time  
70  
70  
35  
-
85  
85  
45  
-
Output load A  
Output load A  
Output load A  
Output load B  
Output load B  
Output load B  
Output load B  
Output load A  
tACE  
tOE  
Chip enable access time  
-
-
-
Output enable to output valid  
Chip enable to output in low Z  
-
-
-
tCLZ  
tOLZ  
tCHZ  
tOHZ  
tOH  
5
5
0
0
10  
5
0
0
0
10  
5
Output enable to output in low Z  
Chip disable to output in high Z  
Output disable to output in high Z  
Output hold from address change  
-
-
0
-
25  
25  
-
35  
25  
-
0
45  
35  
-
0
10  
5
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