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    BQ4015YMA-120N 参数 Datasheet PDF下载

    BQ4015YMA-120N图片预览
    型号： BQ4015YMA-120N
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512Kx8非易失SRAM [512Kx8 Nonvolatile SRAM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 13 页 / 518 K
    品牌： TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
     浏览型号BQ4015YMA-120N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BQ4015YMA-120N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BQ4015YMA-120N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BQ4015YMA-120N的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BQ4015YMA-120N的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BQ4015YMA-120N的Datasheet PDF文件第10页浏览型号BQ4015YMA-120N的Datasheet PDF文件第11页浏览型号BQ4015YMA-120N的Datasheet PDF文件第12页  
    bq4015/Y  
    1,2,3  
    Write Cycle No. 1 (WE-Controlled)  
    1,2,3,4,5  
    Write Cycle No. 2 (CE-Controlled)  
    Notes:  
    1. CE or WE must be high during address transition.  
    2. Because I/O may be active (OE low) during this period, data input signals of opposite polarity to the  
    outputs must not be applied.  
    3. If OE is high, the I/O pins remain in a state of high impedance.  
    4. Either tWR1 or tWR2 must be met.  
    5. Either tDH1 or tDH2 must be met.  
    8

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